Производитель Номер продукта:
TQM110NB04CR RLG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TQM110NB04CR RLG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Подробное описание:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
Инвентаризация:
4738 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978179
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TQM110NB04CR RLG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1352 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
8-PDFNU (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
TQM110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
1801-TQM110NB04CRRLGDKR
1801-TQM110NB04CRRLGCT
1801-TQM110NB04CRRLGTR
TQM110NB04CR
1801-TQM110NB04CRTR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS6630A
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
MSC400SMA330B4
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24
FCH077N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
